Avalanche-Photodiode

Die Avalanche-Photodiode ist eine äußerst empfindliche und schnell reagierende Photodiode die zur Familie der Avalanche-Dioden gezählt werden kann. Genau wie die normale Photodiode nutzt auch die Avalanche-Photodiode den sich bei Lichteinfall im Inneren einstellenden Photoeffekt um aus Licht verschiedenster Wellenlänge, elektrische Signale zu erzeugen.

 Der Unterschied besteht nun darin, dass die Avalanche-Photodiode sich auch noch den „Lawinendurchbruch“, auch Avalanche-Effekt genannt, zu Nutze macht, der zur Verstärkung des inneren Photoeffekts beiträgt. Somit ist sie in der Lage schon geringste Strahlungen zu detektieren und experimentell nachzuweisen. Folglich ist die Avalanche-Diode für einen gewollten Lawinendurchbruch konstruiert und weist im Gegensatz zur pin-Diode eine weitere stark dotierte und schmale p- oder n-Schicht auf, sodass sich im Inneren ein Bereich sehr hoher elektrischer Feldstärke einstellt.

 

Das zeitliche Verhalten der Avalanche-Photodiode wird sowohl durch Driftprozesse als auch durch das Ansteigen bzw. Abfallen der Ladungsträgerlawine bestimmt. Dabei bleibt festzustellen, dass die Avalanche-Photodiode zwar eine hohe Reaktionsgeschwindigkeit aufweist, ihr Verhalten aber trotzdem langsamer einsetzt als das der Schottky-Photodiode.

Es ist also zu erkennen, dass die Avalanche-Photodiode ein sehr guter Strahlungsdetektor ist der auch geringste Strahlungsleistungen bis hin zu einzelnen Photonen deutlich erkennbar macht und somit Anwendung in vielen wissenschaftlichen wie technischen Anwendungen findet.In Deutschland werden elektronische Bauteile nach DIN EN 60617 (Grafische Symbole für Schaltpläne) und deren Kenn-Nummer nach IEC 60617 dargestellt. Das ermöglicht die Erstellung von komplexen Schaltplänen. Das hier abgebildete Symbol bezeichnet eine Avalanche-Photodiode

Das Schaltzeichen nach DIN EN 60617 für die Avalanche-Photodiode.

Namenhafte Hersteller:
Diotec Semiconductor

 


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