Bipolar junction transistor

Der bipolar junction transistor ist einer der bedeutendsten Vertreter der Transistoren-Familie. Im Gegensatz zum Feldeffekttransistor (FET) findet der elektrische Ladungstransport beim bipolar junction transistor sowohl mit Elektronen als auch mit Defektelektronen (Löchern) statt. Der bipolar junction transistor ist somit kein unipolarer Transistor.

Als aktives Bauelement der Elektronik lässt sich der bipolar junction transistor gezielt steuern und in seinem Schaltungs- und Betriebsverhalten beeinflussen. Notwendig dafür ist ein elektrischer Steuerstrom. Möchte man also ein elektrisches Nutzsignal übertragen und verstärken ohne dabei mechanisch bewegte Teile zu verwenden, bietet sich der Einsatz eines bipolar junction transistors an.

 

In deutschsprachigen Ländern bzw. Gebieten wird der bipolar junction transistor überwiegend als „Bipolartransistor“ bezeichnet. Im Allgemeinen stützt sich der elektrische Materialaufbau eines Bipolartransistors auf eine Kombination von drei verschieden geladenen Halbleiterschichten. Diese unterschiedlich dotierten Halbleiterzonen werden in wechselnder Folge angeordnet, also entweder „positiv-negativ-positiv“ oder „negativ-positiv-negativ“ (pnp bzw. npn). Das Vorzeichen, sowie der Grad der elektrischen Dotierung hängen also unmittelbar davon ab, an welcher Stelle man sich zwischen dem Emitter und dem Kollektor befindet.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor

 


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Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
KEMET Corporation
Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
Weidmüller