Bipolartransistor mit Heteroübergang

Der Bipolartransistor mit Heteroübergang zählt, wie sich schon recht leicht am Namen erkennen lässt, zur Familie der Bipolartransistoren. Allerdings ist der Bipolartransistor mit Heteroübergang ein recht individueller Vertreter seiner Klasse, der spezielle elektrotechnische- und elektronische Eigenschaften aufweist. Bei diesem besonderen Bipolartransistor ist der Emitter aus einem Halbleitermaterial gefertigt, dass sich von dem der Basis unterscheidet. Als Konsequenz dieser Materialdifferenzen findet man bei diesem Transistor eine heterogene Struktur (Heterostruktur) im Halbleiteraufbau, die auch hauptverantwortlich für die Namensgebung des Bauelements ist. Der Bipolartransistor mit Heteroübergang kann als bipolare Ausführung eines high-electron-mobility-transistors (HEMT) verstanden werden.













 
 

Doch wie gestalten sich der Aufbau und die Arbeitsweise dieses speziellen Bipolartransistors nun genau? Wählt man für den Bipolartransistor mit Heteroübergang ein Emittermaterial, dessen Bandlücke größer ist als die des vorliegenden Basismaterials, lässt sich eine Löcherinjektion in die Basis konstruieren, die sehr geringen elektrischen Ausmaßen entspricht. Dieser elektrische Prozess ist auf die Ausführung des Bipolartransistors als npn-Transistor zurückzuführen. Durch die damit vonstattengehende Materialveränderung ist zum überwiegenden Teil nur die tiefer liegende Valenzbandkante für die größere Bandlücke ursächlich verantwortlich. Die relativ geringe Defektelektroneninjektion (Löcher) in die Transistorbasis ermöglicht dort eine starke positive Dotierung, was in diesem Gebiet eine recht große Elektronenmobilitäten erzeugt.



 



 

 


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