CNTFET

Die heutige Elektrotechnik und Elektronik schreitet bei der Konzipierung neuer Geräte und Maschinen immer weiter voran. Einen wichtigen Beitrag zur korrekten elektrischen Funktion dieser technischen Systeme leisten moderne Transistoren. Aktuell sind vor allem die Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) populäre Bestandteile integrierter elektronischer Schaltungen und Netzwerke. Der MOSFET besitzt eine Reihe bedeutsamer, positiver elektrischer Eigenschaften, sodass er sich als individueller Feldeffekttransistor in den letzten Jahren gegen die meisten anderen üblichen Transistoren durchgesetzt hat. Dies betrifft speziell die Anzahl an produzierten und verbauten Feldeffekttransistoren. Dort nimmt der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor in seinen unzähligen Varianten seit geraumer Zeit stets die Spitzenposition ein.

Dessen ungeachtet streben viele Wissenschaftler und Ingenieure laufend nach Neuentwicklungen auf dem Gebiet der Transistoren um etablierte Größen wie den MOSFET auf lange Sicht abzulösen und durch ein noch besseres Bauelement zu ersetzen. Einen potentiellen Kandidaten, der das technologische Erbe des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors antreten könnte, stellt der CNTFET dar. Die Abkürzung „CNTFET“ steht dabei ausgeschrieben für „carbon nanotube field-effect transistor“ also zu Deutsch einen Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistoren.
























































 

 

Der CNTFET ist im direkten Vergleich zum auf Silizium basierenden MOSFET deutlich kleiner. Durch diese geringere Bauteilgrößte erschließen sich dem CNTFET weitreichende Einsatzspektren in der Mikroelektronik, die deutlich umfassender ausfallen, als die Anwendungsmöglichkeiten des MOSFETs. Folglich gilt der Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor als eines der Bauelemente, das den Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor in den kommenden Jahren oder Jahrzehnten ablösen könnte.

 


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