Carbon nanotube field-effect transistor

Ein in der technischen Wissenschaft aktuell heiß debattiertes Thema ist die Konstruktion und zukünftige Nutzung von modernen Feldeffekttransistoren, die im Idealfall den etablierten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ersetzen sollen. Entsprechende, in Frage kommende Feldeffekttransistoren (FET) müssen dafür über sehr gute elektrische Eigenschaften verfügen, die denen des MOSFET gewachsen sind und diese möglichst noch überbieten.

Für diese technologische „Wachablösung“ können heute erst ein paar Transistoren in Betracht gezogen werden. Einer dieser Kandidaten ist der carbon nanotube field-effect transistor. Dieser spezielle Transistor stellt eine explizite Weiterentwicklung des sonst üblichen, normalen FETs dar. Der carbon nanotube field-effect transistor weist eine besondere Halbleiterstruktur auf. Teile dieser Struktur wurden bei diesem individuellen Feldeffekttransistor durch Kohlenstoffnanoröhren (CNT) substituiert.
 
  Diese Kohlenstoffnanoröhren (englisch: carbon nanotubes) sind auch der Namensgeber für den carbon nanotube field-effect transistor. In der Mehrzahl der Fachmagazine und Lehrbücher wird der carbon nanotube field-effect transistor vereinfacht in seiner Kurzform „CNTFET“ geführt. Doch was prädestiniert den Kohlenstoff-Nanoröhren-Transistor nun für die Nachfolge des MOSFETs?

Einerseits lässt sich der CNTFET deutlich kleiner konstruieren, sodass sich neue, weitreichende Einsatzgebiete für diesen Feldeffekttransistor erschließen, die dem MOSFET bis dato verborgen geblieben sind. Insbesondere in der Mikroelektronik bedeutet die geringe Bauteilgröße des Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistors einen deutlichen Sprung nach vorne in der Realisierung von hochkomplexen, integrierten elektronischen Schaltungen. Andererseits besitzt der carbon nanotube field-effect transistor eine höhere elektrische Leitfähigkeit als der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor. Dadurch sind für diesen speziellen FET im Betrieb wesentlich größere Transit- und Schaltfrequenzen möglich. Ein großes Problem, das ursächlich für die aktuell noch recht geringe Verbreitung und die niedrigen Produktionszahlen ist, stellt derzeit noch die gezielte Fertigung der einzelnen Transistoren (CNTFET) dar.
 

 


Ihr persönlicher Ansprechpartner

Gern beantworten wir Ihre Fragen zum Thema „Carbon nanotube field-effect transistor“

Nehmen Sie Kontakt zu uns auf:

Dragonerstraße 34
30163 Hannover
Deutschland
Telefon [05 11] 2 88 99 - 0
Telefax [05 11] 2 88 99 - 99
E-Mail: info(at)steindesign.de

Zurück zur Stichwortliste

 

Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
KEMET Corporation
Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
Weidmüller