DMOS-Feldeffekttransistor

Möchte man große elektrische Ströme schalten oder hohe Spannungen zwischen zwei Punkten in einer Schaltung realisieren, so kommen sehr oft Leistungs-MOSFETs zum Einsatz. Diese Leistungs-MOSFETs funktionieren nach dem gleichen elektrotechnischen Prinzip wie die in integrierten Netzwerken verwendeten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Allerdings besitzen Leistungs-MOSFETs andere geometrische Formen und Dimensionen.

 
 

Die Familie der Leistungs-MOSFETs lässt sich grundlegend in zwei Obergruppen einteilen. Zum einen gibt es leistungsstarke MOSFETS, deren elektronische Funktion sich auf eine VMOS-Struktur (v-groved MOS) stützt. Zum anderen existieren spezielle Leistungs-MOSFETs, die über eine DMOS-Struktur (double-diffused metal-oxide semiconductor) verfügen. Stellvertretend für diese, auf einer DMOS-Struktur basierenden Bauelemente, steht der DMOS-Feldeffekttransistor.

Um einen DMOS-Feldeffekttransistor zu konstruieren, muss die Kanalstruktur des FETs durch eine Doppelimplantation hergestellt werden. Wie alle Leistungs-MOSFETs weist auch der DMOS-Feldeffekttransistor eine recht große Drain-Drift-Region auf. Diese Zone innerhalb des Transistors dient dem Schutz vor möglichen „Durchbrüchen“ bei zu hohen elektrischen Sperrspannungen.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor

 

 


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Bekannte Hersteller:

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GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
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Kingbright Electronic
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Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
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