DMOS-field-effect transistor

Leistungs-MOSFETS unterscheiden sich grundsätzlich anhand ihrer Struktur in zwei Bauelementgruppen. Transistoren, die eine DMOS-Struktur (double-diffused metal-oxide semiconductor) aufweisen, werden als DMOS-field-effect transistor, kurz DMOS-FET, bezeichnet. Der DMOS-field-effect transistor besitzt ein recht großes „Drain-Drift-Gebiet“. Bei diesem Gebiet handelt es sich um eine elektrische Driftzone vor dem dotierten Abfluss des DMOS-field-effect transistors. Diese Region schützt diesen Leistungs-MOSFET, beim Auftreten hoher elektrischer Sperrspannungen, vor einem möglichen Durchbruch. Folglich kann die „Drain-Drift-Region“ als eine Art Schutzpolster innerhalb dieses speziellen MOSFETs verstanden werden.

 
 

Um einen Leistungs-MOSFETs zu konstruieren, benötigt man grundsätzlich Transistoren mit passenden elektrischen Eigenschaften. Kurz gesagt, müssen diese Transistoren einen großen Verstärkungsfaktor, sowie einen kleinen Durchlasswiderstand aufweisen. Mit dem DMOS-field-effect transistor lassen sich diese Anforderungen gut realisieren. Dafür muss der DMOS-FET über eine große Kanalweite verfügen. Weiterhin muss dieser Transistor dann in einer Parallelschaltung verbaut werden. Dies ist mit dem DMOS-FET sogar in sehr kompakter Weise auf einer Halbleiterchip-Ebene möglich.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor

 

 


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