Double-Drift-Diode

Die Double-Drift-Diode ist einer der Hauptvertreter der sogenannten IMPATT-Diode. Wie alle Dioden gehört auch die Double-Drift-Diode zu den Bauelementen der Elektronik. Genauer gesagt zum großen Spektrum der Halbleiterelektronik Bauteile. Generell sind alle Vertreter der IMPATT-Diode sehr schnell arbeitende Dioden, die sich im Hochfrequenzbereich der Mikroelektronik ansiedeln.

Hauptsächlich entscheidend für die Funktionsweise der Double-Drift-Diode ist der differentielle Widerstand. Dieser ergibt sich aus einer negativen Phasenverschiebung des elektrischen Stromes gegenüber der Spannung. Dabei sind beides sogenannte „Wechselgrößen“. Im Betrieb der Double-Drift-Diode sind Wechselströme und Wechselspannungen von großer Bedeutung. Einfach gesagt, ist ein Wechselstrom ein elektrischer Strom, der seine Richtung permanent und in regelmäßiger Wiederholung ändert. Folglich addieren sich positive und negative Augenblickswerte derart, dass der zeitliche Mittelwert des Stromes Null ist. Bei der Double-Drift-Diode ist die zeitliche Verzögerung zwischen Strom und Spannung auf die „Lawinendurchbruch-Zeit“ und die Laufzeitverzögerung der Diode im Driftgebiet zurückzuführen.
 

 

Konkrete Verwendung findet diese spezielle Halbleiterdiode in unterschiedlichsten Schaltungen der Mikroelektronik. Sie dient dort überwiegend als hochfrequente Energiequelle. Zur Herstellung bzw. Produktion einer Double-Drift-Diode sind im Grunde drei Verfahren populär: Epitaxie, Diffusion und Ionenimplantation. Zum Teil werden auch verschiedene Techniken kombiniert. Allerdings ist dabei besonders darauf zu achten, dass die Dotierung der Double-Drift-Diode mit großer Genauigkeit erfolgt. Zur Familie der IMPATT-Diode gehören neben der bereits erklärten Double-Drift-Diode auch noch die Read-Diode und der einseitig abrupte p-n Übergang.

Das Schaltzeichen nach DIN EN 60617 für Double-Drift-Diode
Das Schaltzeichen nach DIN EN 60617 für Double-Drift-Diode

 


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