Dünnschichttransistor

Den Dünnschichttransistor kann man grundsätzlich zu den Feldeffekttransistoren zählen. Dieser Transistor ist quasi ein besonderer Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate-Anschluss. Populär ist der Dünnschichttransistor auch unter der Bezeichnung TFT. Diese Abkürzung leitet sich aus dem Englischen ab und steht ausgeschrieben für „thin film transistor“.

Mittels Dünnschichttransistoren lassen sich großflächige, elektronische Schaltungen realisieren. Im Allgemeinen lässt sich der Aufbau eines Dünnschichttransistors mit dem Aufbauschema eines MOSFET, also Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors, vergleichen. Der MOSFET stellt die am häufigsten verwendete IGFET-Variante dar. Allerdings existieren zwischen diesen beiden Transistoren auch einige Differenzen. Zum einen benutzt man zur Herstellung eines Dünnschichttransistors andere Halbleitermaterialien als zur Produktion eines MOSFET. Zum anderen besitzt der Dünnschichttransistor eine nachträglich aufgetragene Halbleiterschicht, sowie in der Regel einen großflächig gestalteten Gate-Anschluss. Als Resultat liegen bei diesem speziellen Transistor Drain bzw. Source und das Gate übereinander.



















 
  Betrachtet man den Aufbau genauer, dann lassen sich Dünnschichttransistoren in „bottom-gate“ und „top-gate“, sowie „staggered“ und „coplanar“ unterscheiden. Es existieren folglich vier Grundmöglichkeiten, die Halbleiterschicht aufzubauen. Für einen Dünnschichttransistor kommt generell meistens amorphes Silizium als aktiver Halbleiter zum Einsatz. Darüber hinaus existieren von diesem speziellen Transistor auch Bauvarianten, die Verbindungshalbleiter wie Cadmiumselenid oder durchlässige Metalloxide wie Zinkoxid aufweisen. Organische Halbleitermaterialien sind Gegenstand moderner Forschung. Sie werden zukünftig zur Realisierung eines organischen Feldeffekttransistors (OFET) eingesetzt.

 


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