EOSFET

Die Halbleiterelektronik ist eine Technikbranche, in der Innovationen und Neuentwicklungen omnipräsent sind. Der technologische Wandel führt gerade hier immer wieder zur Konzipierung und Konstruktion von speziellen, individuellen Bauelementen, deren elektrische Eigenschaften neue Schaltungen und Netzwerkgestaltungen erst möglich machen. Eines dieser Bauteile, das durchaus als wichtige Innovation gilt, ist der Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz EOSFET. Dieser besondere Feldeffekttransistor zählt zur großen Familie der IGFETs, also den Feldeffekttransistoren mit isolierter Gate-Elektrode.

 

Was die grundsätzliche Funktion des EOSFET betrifft, so ähnelt diese der Arbeitsweise des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET). Allerdings bestehen im konkreten Halbleiteraufbau doch gewisse, wesentliche Differenzen zwischen dem EOSFET und einem konventionellen MOSFET. Im Unterschied zu den meisten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren ist der Gate-Anschluss des EOSFET nicht durch eine Metallschicht, sondern durch eine elektrolytische Lösung ausgestaltet (Elektrolyt-Lösung). Die Abkürzung „EOSFET“ ist ein Resultat aus der englischen Originalfassung „electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor“.

 


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