Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor

Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor. Hinter diesem ziemlich langen Zungenbrecher verbirgt sich ein sehr interessantes aktives Bauelement der Elektrotechnik. Aufgrund seines nicht gerade leicht zu handhabenden Namens, wird der electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor in vielen technischen Fachmagazinen und wissenschaftlichen Lehrbüchern auch verkürzt als „EOSFET“ bezeichnet. In Deutschland und den angrenzenden deutschsprachigen Ländern etablierte sich zusätzlich der Begriff „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“. Doch was genau kann man sich nun unter einem EOSFET vorstellen und wie funktioniert er eigentlich?

 

Der EOSFET wird der großen, umfangreichen Familie der Feldeffekttransistoren (FET) zugerechnet. Konkret ist dieser spezielle Transistor ein Vertreter der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate-Anschluss (IGFET). Für seine elektrische Funktion ist die bereits im Namen erwähnte Elektrolyt-Lösung von besonderer Bedeutung. Diese elektrolytische Lösung dient beim Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“ zur Realisierung der Gate-Elektrode. Diese Konstruktion unterscheidet den EOSFET deutlich von den meisten Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Diese Transistoren besitzen in der überwiegenden Anzahl der Fälle eine Metallschicht im Inneren, um das nötige Gate zu gestalten.

Wo finden sich heute Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren bzw. in welchen elektrotechnischen und elektronischen Fachgebieten werden sie bevorzugt eingesetzt? EOSFETs werden häufig in der Neurotechnik verwendet. Sie dienen dort der Erkennung neuronaler Aktivitäten. Das „Brain-Computer-Interface“ gilt als praktisches Anwendungsbeispiel für den electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor.

 


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