FGMOS

Der FGMOS ist ein spezieller Transistor. Er hebt sich durch eine Reihe von individuellen elektrotechnischen Eigenschaften von den üblichen, gängigen Transistoren ab. Überwiegend findet man den FGMOS in nichtflüchtigen Speichern. Dort fungiert dieses aktive elektronische Bauteil als Speicherinstanz zur permanenten Aufbewahrung von Daten und Informationen.

Pionierarbeit rund um die Konstruktion eines FGMOS leisteten die Mitarbeiter der Bell Laboratories Ende der sechziger Jahre. Insbesondere federführend beteiligt bei der Entwicklung eines ersten, funktionierenden FGMOS waren der Südkoreaner Dawon Kahng und sein chinesischer Arbeitskollege Simon Min Sze. In konsequenter, teamorientierter Arbeitsweise gelangen dem südkoreanischen Physiker, sowie dem chinesischen Elektroingenieur weitreichende Fortschritte bei der Ausarbeitung eines konkreten Konzepts zur Realisierung eines ersten FGMOS. Den ersten richtigen Prototyp stellten die beiden Wissenschaftler in Murray Hill, New Jersey im Jahre 1967 fertig.























































 

 

Bis heute stellt der FGMOS in integrierten elektrischen Schaltungen bei vielen modernen Flash-Speichern, EEPROMs und EPROMs das fundamentale Speichermedium dar. Grundsätzlich zählt der FGMOS zu den Feldeffekttransistoren (FET) mit isoliertem Gate-Anschluss (IGFET). Die Abkürzung FGMOS steht dabei in Gänze ausformuliert für „Floating-gate MOSFET“ bzw. „Floating-Gate-Transistor“.

 


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