Feldeffekttransistor mit Spin

Innerhalb der großen und umfassenden Familie der Feldeffekttransistoren (FET) gibt es zahlreiche individuelle Transistoren, die sich durch besondere elektrische Eigenschaften und Fähigkeiten auszeichnen. Zu diesen speziellen FETs zählt auch der „Feldeffekttransistor mit Spin“. Der Feldeffekttransistor mit Spin wird der Spintronik zugeordnet, welche einen Unterzweig der Nanotechnologie darstellt. Dieser Feldeffekttransistor wurde in den bisher erforschten Anwendungen hauptsächlich zur nicht flüchtigen Informationsspeicherung in speziellen Speichermedien verwendet.

 

Ein praktisches Einsatzgebiet des Feldeffekttransistors mit Spin stellt z.B. der magnetoresistive Random Access Memory, kurz MRAM, dar. Oft findet man den Feldeffekttransistor mit Spin in wissenschaftlichen Veröffentlichungen auch unter den Bezeichnungen: Spin-Transistor, Spin-FET oder Spin-Feldeffekttransistor. Allgemein erfolgten die ersten Forschungsarbeiten rund um den Spin-Transistor in den 1990er Jahren. Federführend in der Pionierarbeit waren Mitarbeiter der Bell Laboratories, einer Entwicklungsabteilung des internationalen Telekommunikations- und Netzwerkausrüsters Alcatel-Lucent.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor

 


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Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
KEMET Corporation
Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
Weidmüller