Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode

Wie sich schon am Namen erkennen lässt, handelt es sich beim Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode um einen Transistor besonderer Bauart. Innerhalb der großen Familie der Feldeffekttransistoren (FET) gibt es zwei Obergruppen. Zum einen die Isolierschicht-Feldeffekttransistoren (IGFET) und zum anderen die Feldeffekttransistoren mit nicht isolierter Steuerelektrode (NIGFET). Der bedeutendste Unterschied zwischen diesen beiden Gruppierungen ist die elektrische Anordnung des zusätzlichen Steueranschlusses (Gate).

 
 

Während der IGFET seine Funktion auf eine isolierte Steuerelektrode stützt, arbeitet der NIGFET mit einem elektrisch leitenden Gate. Bei der Namensgebung des NIGFETs hat man sich an dem englischen Originalwortlaut orientiert. Somit steht das Kürzel „NIGFET“ in Gänze ausgeschrieben für „non insulated-gate field-effect transistor“. Bei allen Differenzen, die zwischen IGFET und NIGFET bestehen, ist mit beiden Transistoren eine gezielte Steuerung und Beeinflussung des elektrischen Stromflusses möglich. Um diesen Vorgang zu starten, muss an den Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode eine externe Steuerspannung angelegt werden.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor

 

 


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Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
KEMET Corporation
Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
Weidmüller