FinFET

Einen besonderen Transistor stellt der FinFET dar. Er wird den Feldeffekttransistoren, konkreter gesagt, der Familie der MOSFETs zugeordnet. Generell ist der FinFET ein nicht-planarer MOSFET, bei dem sich der leitende Kanal an einem dünnen Grat befindet. Dieser Grat besteht beim FinFET zu meist aus Silizium. Der Name FinFET resultiert aus der englischen Sprache, da der dünne Silizium-Grat dort auch als „fin“ bezeichnet wird.

Die ersten Personen, die diesen Transistor FinFET tauften, waren Wissenschaftler und Forscher der University of Carlifornia, Berkeley. In ihren Veröffentlichungen basiert diese Namensgebung auf dem Einzelgatetransistordesign DELTA. Da sich der leitfähige Kanal im Prinzip an allen Seiten des Grats befinden kann, werden oft auch andere Transistoren als FinFET tituliert (Multigate-Feldeffekttransistor, Dual-Tetrode oder Tri-Gate-MOSFET).



















 
  Grundsätzlich bietet der FinFET als spezieller Feldeffekttransistor einige bedeutsame Vorteile. Dieser Spezialtransistor weist einen vergrößerten Kanalbereich und evident bessere elektrische Eigenschaften auf. Dazu gehören beispielsweise kurze Schaltzeiten und geringere elektrische Leckströme. Darüber hinaus benötigt der FinFET als Bauelement weniger Platz, bei gleicher elektrischer Leistungsfähigkeit, was eine deutlich größere Integrationsdichte als bei anderen herkömmlichen Transistoren zulässt.

Die Hauptanwendungsgebiete des FinFETs stellen HF-Schaltungen dar. Der FinFET arbeitet dort als multiplikativer Mischer oder HF-Verstärker. Neben diesen Funktionen wird dieser individuelle und alternative Transistor aber auch zunehmend für Standardlogikschaltungen wie Mikrocontroller oder Hauptprozessoren interessant. Als Beispiel kann die momentan seitens Intel erprobte Umstellung seiner 22-nm konventionellen, planaren MISFETs hin zu modernen nicht-planaren FinFETs gelten.
 

 


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