HBT

Die Abkürzung HBT steht innerhalb der Halbleiterelektronik für den „Heterojunction bipolar transistor“. Der HBT ist ein Bipolartransistor. Im deutschsprachigen Raum nennt man den HBT auch „Bipolartransistor mit Heteroübergang“. Kennzeichnend für den HBT ist sein technischer Aufbau. Das Emittermaterial ist bei diesem Transistor anders gewählt, als das Material der vorhandenen Basis. Durch diesen Umstand entsteht die für den Namen ursächliche Heterostruktur. Generell kann man sich den HBT als eine bipolare Ausführung des High-Electron-Mobility-Transistors (HEMT) vorstellen.

 

Wenn das Emittermaterial eine größere Bandlücke aufweist als der Stoff in der Basis, lässt sich recht leicht eine sehr geringe Löcherinjektion in Richtung des Emitters realisieren. Im Prinzip stellt der HBT einen npn-Transistor dar. Durch die Veränderung im Material des Emitters ist hauptsächlich nur die tief liegende Kante des Valenzbandes für die große Bandlücke verantwortlich. Durch diese spezielle Transistorarchitektur lassen sich mit Hilfe des HBT Schaltfrequenzen von 600 Gigahertz erreichen.

 


Ihr Ansprechpartner

Gern beantworten wir Ihre Fragen zum Thema „HBT“

Nehmen Sie Kontakt zu uns auf.

Dragonerstraße 34
30163 Hannover
Deutschland
Telefon [05 11] 2 88 99 - 0
Telefax [05 11] 2 88 99 - 99

E-Mail: info(at)steindesign.de

Zurück zur Stichwortliste

 

Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
KEMET Corporation
Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
Weidmüller