HJBT

Die vier Buchstaben „HJBT“ stehen auf dem Gebiet der Halbleitertechnik- und Elektronik für ein aktives Bauelement, genauer gesagt einen speziellen Transistor. Hinter dem Kürzel „HJBT“ verbirgt sich der heterojunction bipolar transistor, ein besonderer Vertreter der Familie der Bipolartransistoren. Charakteristisch für den HJBT ist der Fakt, dass sich sein Emittermaterial von dem Material der Basis unterscheidet. Als Folge dieser Differenzen in der Materialwahl existiert bei dem heterojunction bipolar transistor eine Heterostruktur im Halbleiteraufbau. An diese heterogene Struktur ist auch die Namensgebung dieses individuellen Bipolartransistors angelehnt. Innerhalb der Transistorentechnik gibt es zwei Obergruppen von Transistoren. Die Feldeffekttransistoren (FET) und die Bipolartransistoren.













 
 

Dabei gibt es einen Feldeffekttransistor, der sich insbesondere durch seine hohe Elektronenmobilität auszeichnet. Die Rede ist vom high-electron-mobility-transistor, kurz HEMT. Auch der heterojunction bipolar transistor zeigt in seinem Schalt- und Betriebsverhalten eine ziemlich hohe Elektronenmobilität. Diese Eigenschaft legitimiert die Aussage, der HJBT sei quasi eine bipolare Ausführung des high-electron-mobility-transistors (HEMT). Die hohe Minoritätsladungsträgermobilität ist entscheidend für das sehr rasche Schalten des heterojunction bipolar transistors. In deutschsprachiger technischer bzw. wissenschaftlicher Lektüre findet man den HJBT auch oft unter der Bezeichnung „Bipolartransistor mit Heteroübergang“.



 



 

 


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