Heterojunction bipolar transistor

Der heterojunction bipolar transistor ist ein spezieller Bipolartransistor. Beim heterojunction bipolar transistor ist der Emitter aus einem anderen Halbleitermaterial gefertigt als die Basis. Folglich ergibt sich bei diesem Transistor eine Heterostruktur im Halbleiteraufbau, die auch ursächlich namensgebend ist. Der heterojunction bipolar transistor stellt quasi die bipolare Variante eines high-electron-mobility-transistors (HEMT) dar. Doch wie kann man sich den Aufbau und die Funktionsweise dieses individuellen Bipolartransistors nun genau vorstellen?













 
 

Wenn man für den heterojunction bipolar transistor ein Emittermaterial auswählt, dessen Bandlücke größer ist als die des vorhandenen Basismaterials, lässt sich eine sehr geringe Löcherinjektion in die Basis realisieren. Dieser elektrische Vorgang ist auf die Ausgestaltung des heterojunction bipolar transistor als npn-Transistor zurückzuführen. Durch die einhergehende Materialveränderung ist überwiegend nur die tiefer liegende Valenzbandkante für die Größe der Bandlücke verantwortlich. Die recht geringe Injektion von Defektelektronen (Löchern) in die Basis des Transistors ermöglicht in diesem Gebiet eine starke positive Dotierung, was dort ziemlich große Elektronmobilitäten zur Folge hat. Der heterojunction bipolar transistor ist in deutschsprachigen Gebieten auch oft unter dem Namen „Bipolartransistor mit Heteroübergang“ zu finden. Des Weiteren werden in vielen technischen Fachzeitschriften und Lehrbüchern die Abkürzungen „HBT“ und „HJBT“ verwendet.



 



 

 


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