IGFET

Allgemein gehört der IGFET zur Gruppe der Feldeffekttransistoren. Allerdings besitzt der IGFET unter diesen eine gewisse Sonderrolle. Diese begründet sich auf die etwas andere Steuerung des elektrischen Stromflusses mittels IGFET. Der Strom wird durch Ladungsträgerinfluenz bzw. elektrostatische Induktion über ein Gate gesteuert, das vom leitenden Kanal elektrisch isoliert ist.

Die Abkürzung IGFET findet ihre Wurzeln in der englischen Sprache. Ausgeschrieben steht dieser Begriff für „insulated-gate-field-effect-transistor“. Im deutschsprachigen Raum ist der IGFET auch bekannt unter dem Namen „Isolierschicht-Feldeffekttransistor“ oder „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“. Oft werden IGFETs auch entsprechend ihrer charakteristischen Halbleiterschichtstruktur als Metall-Isolator-Halbleiter oder MISFET (metal insulator semiconductor) tituliert. Des Weiteren gilt in weiten Teilen des Sprachgebrauchs der Begriff IGFET als Synonym für den bekanntesten Vertreter dieser Bauelement Spezies, den MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor).


















 
  Diese Vereinfachung ist zurückzuführen auf die Entwicklungshistorie der Mikroelektronik. Bis zum heutigen Tage ist Siliziumoxid das meistbenutzte Halbleitermaterial zur Herstellung bzw. Kreierung eines Gate-Oxids. Die Anwendung eines gängigen Oxids (Siliziumoxid, Hafniumoxid) zur Isolationsschichtherstellung ist dabei jedoch nur eine von vielen Optionen. Alternativ können Siliziumnitrid, Polymere (organisch) oder unterschiedliche Kombination mehrerer Materialien (Nitrid und Oxid) benutzt werden, um das Gate des IGFET bzw. MOSFET zu produzieren bzw. herzustellen. Es wird also ersichtlich, dass die Bezeichnung IGFET keinen einzelnen Transistor beschreibt, sondern als Oberbegriff für eine Reihe verschiedener FETs angesehen werden kann.

 


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