Impact Avalanche Transit Time Diode

Impact Avalanche Transit Time Diode. Dieser lange und sperrige Begriff steht in der Halbleiterelektronik für eine besondere Diode. Oft wird die Impact Avalanche Transit Time Diode auch vereinfacht als „IMPATT-Diode“ bezeichnet. Allgemein zählt die IMPATT-Diode zu den Hochfrequenz-Halbleiter-Bauelementen der Mikroelektronik. In Deutschland ist die IMPATT-Diode auch recht bekannt unter dem Namen „Lawinen-Laufzeit-Diode“. Die Familie der IMPATT-Dioden umfasst heute einige recht populäre Halbleiterdioden. Unter anderem werden die Read-Diode, die doppelseitige Doppeldriftdiode sowie die pin-Diode zu dieser Diodengruppe gezählt.

 

Die IMPATT-Diode stellt eine der leistungsfähigsten Halbleiterquellen im Mikrowellenbereich bis 100 Gigahertz dar. Damit kann sie auch als eine der leistungsstärksten Quellen für Mikrowellenenergie, auf dem Gebiet der Festkörperphysik, betrachtet werden. Haupteinsatzgebiet für IMPATT-Dioden sind mikroelektronische Schaltungen und Netzwerke. Als praktisches Beispiel können die Nachrichtentechnik und insbesondere die militärische Senderkommunikation über Radare gelten. Die Impact Avalanche Transit Time Diode ist somit ein wichtiger Bestandteil moderner Kommunikationsgeräte.

 


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