Insulated-gate bipolar transistor

Transistoren sind heute zu den bedeutsamsten aktiven Bauelementen der Elektronik gereift. Verschiedenste Transistoren lassen sich in nahezu allen modernen, elektrischen Geräten finden. Einen speziellen Bautyp des Transistors stellt der Insulated-gate bipolar transistor dar.

In Deutschland kennt man diesen individuellen Transistor überwiegend unter dem Namen „Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode“. Des Weiteren wird in der Wissenschaft bzw. praktischen Technik der verkürzte Begriff „IGBT“ verwendet.
 

 

Doch wie ist ein Insulated-gate bipolar transistor eigentlich aufgebaut und wie funktioniert er nun genau? Der IGBT findet hauptsächlich in der Leistungselektronik Verwendung. Simplifiziert dargestellt, ist dieser Transistor eine Kombination aus Feldeffekttransistor (FET) und Bipolartransistor. Der IGBT versucht quasi die individuellen Vorteile der beiden Bauelemente, hinsichtlich der elektrischen Eigenschaften, effektiv miteinander in Verbindung zu bringen. Folglich weist der Insulated-gate bipolar transistor, wie der normale Bipolartransistor, ein äußerst gutes elektrisches Durchlassverhalten, sowie eine hohe elektrische Sperrspannung auf. Darüber hinaus ist dieser Transistor ähnlich robust. Zudem kann man den IGBT, wie einen FET, fast verlustfrei schalten bzw. ansteuern.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
 

 


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ROHM Semiconductor
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