Insulated-gate field-effect transistor

Die Feldeffekttransistoren, kurz FETs, stellen eine der beiden großen Transistoren-Familien dar. Zu dieser weitläufigen Transistorgruppierung zählt auch der Insulated-gate field-effect transistor. Allerdings unterscheidet sich dieser Transistor von den üblichen, gängigen Feldeffekttransistoren. Der Insulated-gate field-effect transistor nimmt eine nicht unbedeutende Sonderstellung ein.

Doch wodurch kennzeichnet sich die Sonderrolle dieses Transistors nun? Das Hauptunterscheidungsmerkmal des Insulated-gate field-effect transistors, bezüglich anderer FETs, ist seine individuelle Steuerung des Stromflusses. Der elektrische Strom wird mittels Ladungsträgerinfluenz über eine Elektrode (Gate) gesteuert, die vom Leitkanal gesondert isoliert ist. Oft geschieht dieser Vorgang im Insulated-gate field-effect transistor auch durch elektrostatische Induktion.
 

 

Aufgrund der recht langen Bauteilbezeichnung, findet sich in der praktischen Technik und Wissenschaft auch häufig der Begriff „IGFET“. Dadurch sind gerade verschiedene Bauteilausführung kürzer und einfacher zu titulieren (n-IGFET, p-IGFET). In Deutschland bzw. dem deutschsprachigen Raum, ist der IGFET auch populär als „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ oder „Isolierschicht-Feldeffekttransistor“. Weiterhin werden diese speziellen FETs auch aufgrund ihrer individuellen Halbleiterstruktur als MISFETs, also Metall-Isolator-Halbleiter gekennzeichnet. Ein Hauptvertreter der IGFET-Familie ist der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MOSFET. Da MOSFETs den weitaus größten Anteil an gefertigten IGFETs ausmachen, werden sie in weiten Teilen des technischen Sprachgebrauchs synonym verwendet.

Anhand dieser Zusammenhänge wird deutlich, dass der Begriff „Insulated-gate field-effect transistor“ nicht nur für einen konkreten Transistor zutrifft, sondern als Sammelbegriff eine große Anzahl unterschiedlichster FETs verwendet werden kann.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
 

 


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