Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Wie sich schon am Namen erkennen lässt, ist der Isolierschicht-Feldeffekttransistor ein aktives Bauelement der Elektronik. Er gehört zu den Transistoren, also einer wichtigen Bauteilgruppe der Halbleitertechnik, neben den Dioden, Optokopplern und Relais.

Der Isolierschicht-Feldeffekttransistor ist ein unipolarer Transistor. Das bedeutet, dass der elektrische Ladungstransport nur durch eine Ladungsträgerart stattfindet. Folglich kann mit einem Feldeffekttransistor (FET) im Allgemeinen ein Signal bzw. eine elektrische Information entweder unter dem Einsatz von Elektronen oder „Löchern“ übertragen werden.

































 

 

Doch wodurch unterscheidet sich der Isolierschicht-Feldeffekttransistor von anderen, üblichen Feldeffekttransistoren? Der Isolierschicht-Feldeffekttransistor weist eine andere Steuerung des Stromflusses auf. Einfach gesprochen, wird der elektrische Strom über eine Gate-Elektrode gesteuert, die vom leitenden Kanal gesondert isoliert ist. Dieser Prozess der Stromsteuerung findet bei diesem individuellen Feldeffekttransistor durch Ladungsträgerinfluenz oder elektrostatische Induktion statt. Die deutsche Bezeichnung „Isolierschicht-Feldeffekttransistor“ orientiert sich an dem englischen Pendant „insulated-gate field-effect transistor“. Oft findet man in Fachmagazinen bzw. Bauteilkatalogen auch nur die Abkürzung „IGFET“.
 

 


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