JFET

Zur Familie der unipolaren Feldeffekttransistoren (FET) gehört der JFET. Die Abkürzung steht dabei für Junction-Field-Effect-Transistor. Das englische Wort „junction“ heißt auf Deutsch Sperrschicht, sodass der JFET dort auch häufig als Sperrschicht-Feldeffekttransistor bezeichnet wird. Generell unterscheidet man zwischen einem n-Kanal und einem p-Kanal JFET. Um den grundsätzlichen Aufbau und die Funktion eines JFET zu erläutern, reicht es, dies anhand des n-Kanal Typs vorzunehmen, da sich bei der p-Kanal Variante lediglich die n- und p-Zonen vertauschen und die Vorzeichen aller Spannungen und Ströme wechseln. Ein n-Kanal JFET setzt sich aus einem negativ-dotierten Bereich zusammen, der von einer positiv-dotierten Zone (Sperrschicht) umschlossen ist. Folglich ergibt sich zwischen den beiden Schichten ein p-n Übergang, wie man ihn in vereinfachter Form z. B. bei Dioden findet.
 

 

An der n-Schicht finden sich zwei Anschlüsse. Diese werden in der Elektronik bzw. Elektrotechnik als „Drain“ (Abfluss) und „Source“ (Quelle) bezeichnet. Bei einem JFET nennt man die Strecke zwischen dem Drain und Source Anschluss n-Kanal bzw. p-Kanal. Innerhalb des JFET ist die positiv-dotierte Zone der Gate-Anschluss. Dieser Kontakt dient der Schaltung und Steuerung des JFET. Weiterhin ist wichtig anzumerken, dass dieser Anschluss mit dem bereits erwähnten n-Kanal quasi eine p-n-Diode bildet. Ähnlichkeiten treten dabei mit dem artverwandten MESFET auf. Dieser arbeitet aber stattdessen mit einem Schottky-Übergang (Metall-Halbleiter-Übergang). Betrachtet man die Funktion von JFET und MESFET, lassen sich keine gravierenden Unterschiede feststellen. Beide werden bei ähnlichen und oft sogar gleichen elektronischen Problemen eingesetzt und verbaut.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor

 


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