Ladungsspeicherdiode

Zu den Halbleiterdioden zählt auch die sogenannte Ladungsspeicherdiode. Sie zeichnet sich speziell durch eine hohe Lebenszeit der Minderheitsladungsträger aus. Dies hat zur Folge, dass die Ladungsspeicherdiode nach einer Umpolung des elektrischen Stroms von der Durchflussrichtung in die Sperrrichtung noch für eine längere Zeit leitend bleibt. Während dieses Zeitintervalls ähnelt das Verhalten der Ladungsspeicherdiode dem, eines Kondensators hoher Kapazität. Folglich ergibt sich für etwaige Wechselspannungen ein Kurzschluss.

Ganz allgemein gesehen kann jede Diode mit p-n Übergang als Ladungsspeicherdiode angesehen werden, da die Minderheitsladungsträger stets für eine kurze Zeit nach der Umpolung erhalten bleiben. Einen Unterschied stellt hier nur die Schottky-Diode dar, deren Ladungstransport ausschließlich durch Mehrheitsladungsträger geschieht. Da allerdings bei den meisten Dioden versucht wird die Sperrverzugszeit zu minimieren, werden sie in der Regel nicht als Ladungsspeicherdiode bezeichnet bzw. in diesem Kontext erwähnt. Es kann somit gesagt werden, dass die Ladungsspeicherdiode quasi das Gegenteil einer Schalterdiode darstellt.



 

 

Hergestellt werden Ladungsspeicherdioden hauptsächlich aus normalem Silizium, welches eine Minderheitsladungsträger-Lebensdauer zwischen 0,1 und 5 Mikrosekunden aufweist. Dieser Zeitfaktor ist nahezu um das 1000 Fache größer als bei gängigen Schaltdioden. Zur Familie der Ladungsspeicherdiode kann darüber hinaus auch die spezielle Speicherschaltdiode gezählt werden.In Deutschland werden elektronische Bauteile nach DIN EN 60617 (Grafische Symbole für Schaltpläne) und deren Kenn-Nummer nach IEC 60617 dargestellt. Das ermöglicht die Erstellung von komplexen Schaltplänen. Das hier abgebildete Symbol bezeichnet eine LadungsspeicherdiodeDas Schaltzeichen nach DIN EN 60617 für eine Ladungsspeicherdiode.

 


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