Mesatransistor

 

Was genau kann man sich unter einem Mesatransistor vorstellen? Als Mesatransistor bezeichnet man eine Gruppe von Transistoren, die in Folge verschiedener Diffusionsverfahren entstanden sind. Man ordnet die durch diesen Prozess hergestellten Transistoren der Familie der Diffusionstransistoren zu.
 
Überwiegend sind Mesatransistoren aus Silizium oder Germanium bestehende Bipolartransistoren. Das Element Germanium weist dabei eine höhere Ladungsträgerbeweglichkeit auf als Silizium. Heute spielt der Mesatransistor keine bedeutende Rolle mehr in der modernen Halbleiterelektronik und wurde nahezu gänzlich durch andere Bauelemente mit besseren Eigenschaften verdrängt.
 
Der Funktionsbereich des Mesatransistors ist auf ein relativ dünnes Gebiet an der Oberfläche beschränkt. Um eine große Durchbruchspannung zwischen Kollektor und Basis herzustellen, bzw. aufrechtzuerhalten, war ein hoher elektrischer Kollektor-Widerstand von Nöten. Beim Mesatransistor war der Anschluss des Kollektors (Kollektorelektrode) meistens auf der Gegenseite des Substrats angebracht. Folglich war auch der Kollektorbahnwiderstand des Transistors groß. Dies verringerte die Leistungsbelastbarkeit des Mesatransistors erheblich. Gelöst wurde diese Problematik erst durch epitaktische Beschichtungsprozesse und die Entwicklung des Planartransistors. Mesatransistoren wurden als pnp- und npn-Transistor produziert.
 
















 
 

Obwohl die Diffusion als Technik zur Herstellung von Transistoren schon früher verwendet wurde, führte erst die Erforschung des Oxid-Maskierungsprozesses zur Entwicklung des Mesatransistors im Jahre 1954, durch verschiedene Mitarbeiter der Bell Telephone Laboratories (Charles A. Lee, G. C. Dacey und P. W. Foy). Der Name Mesatransistor begründet sich auf sein charakteristisches Äußeres, das den Tafelbergen in Mesa (Arizona) ähnelt.

 


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