Metal semiconductor field effect transistor

Der metal semiconductor field effect transistor ist ein sehr individueller Transistor mit charakteristischen Bauteileigenschaften. Als Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET) weist er eine für die elektronische Funktion notwendige Halbleiter-Sperrschicht auf. Aufgrund seiner relativ langen Bezeichnung in ausgeschriebener Form, wird der metal semiconductor field effect transistor auch oft einfach nur abgekürzt „MESFET“ genannt. In deutschsprachigen Ländern ist dieser Sperrschicht-Feldeffekttransistor auch unter dem Begriff Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor populär.

Hinsichtlich des elektrotechnischen Aufbaus und der Arbeitsweise gibt es zwischen dem metal semiconductor field effect transistor und einem n-Kanal JFET nur geringfügige Differenzen. Somit ergeben sich für beide Transistoren ähnliche Betriebs- und Schalteigenschaften. Nahezu alle gängigen Typen des MEFET’s sowie des JFET’s sind Selbstleiter. Mit Selbstleiter meint man einen Transistor, der selbst bei einer elektrischen Steuerspannung von Null Volt einen Stromfluss verzeichnet. Dieser Ladungstransport wird beim JFET und MESFET sowie grundsätzlich in der Transistoren-Technik „Drainstrom“ genannt.






































 

 

Darüber hinaus kann man den metal semiconductor field effect transistor, als aktives Bauelement der Halbleiterelektronik, durch externe Beeinflussung steuern und schalten. Eingeleitet wird diese elektronische Einflussnahme auf das Betriebsverhalten des Transistors, durch ein negatives Steuerpotential. Als Resultat ergibt sich eine Vergrößerung der Raumladungszone innerhalb des Schottky-Kontakts. Dieses Szenario schränkt von da an die Leitfähigkeit des Kanals ein.

 


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