Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Wenn man sich genauer mit der modernen Halbleiterelektronik beschäftigt, trifft man unweigerlich auf das weitreichende Gebiet der Transistoren. Es existieren Transistoren in verschiedensten Varianten, die sich beispielsweise hinsichtlich ihrer Leitfähigkeit, ihrer elektrischen Robustheit, ihrer Schaltfrequenz, sowie ihres generellen Aufbaus und ihrer Funktion unterscheiden.

Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor gehört zu den Feldeffekttransistoren (FET) und dort speziell gesondert zu den Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET). International findet man den Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor meistens unter dem Namenskürzel „MESFET“. Diese Wortkomprimierung steht gänzlich ausgeschrieben für „metal semiconductor field effect transistor“.
 

 

Doch kommen wir nun zum konkreteren Bauteilaufbau des Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistors. Dieser ist grundsätzlich mit dem eines n-Kanal JFETs vergleichbar. Allerdings weist der MESFET statt der sonst üblichen positiv dotierten Gate-Elektrode, eine Gate-Elektrode aus Metall auf. Als Resultat stellt sich beim MESFET ein Metall-Halbleiter-Übergang (Schottky-Kontakt) ein. Ein gängiger JFET arbeitet dagegen mit einem p-n-Übergang. Diese Form des Halbleiterübergangs, wie man sie beim MESFET antrifft, wird auch auf dem Gebiet der Dioden praktiziert. Die Schottky-Diode kann dabei als Beispiel dienen.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor

 


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Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
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Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
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