Metall-Isolator-Halbleiter

Viele Bauelemente in der Elektrotechnik und Elektronik besitzen eine bestimmte charakteristische Struktur hinsichtlich ihres technischen Aufbaus. Eine der populärsten Strukturen ist die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur. International bekannt ist diese Struktur auch unter der Bezeichnung „metal insulator semiconductor“, kurz MIS-Struktur.

Da sich die MIS-Struktur über Jahre der Entwicklung bewährt hat, bildet sie die Grundlage für eine große Anzahl an elektrischen und elektronischen Bauteilen. Dabei handelt es sich um verschiedenste Transistoren, Dioden, Sensoren (CCD-Sensor) u.v.m. Im Allgemeinen werden Bauelemente, die für ihre Funktion eine MIS-Struktur verwenden, als „Metall-Isolator-Halbleiter“ bezeichnet.













 
 

Doch was versteht man unter einem Metall-Isolator-Halbleiter und wie setzt sich so eine MIS-Struktur eigentlich zusammen? Generell besteht die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur aus einem Träger und einer Metallschicht. Dabei befindet sich die Metallschicht in den weitaus überwiegenden Fällen über dem Träger. Als Träger für einen Metall-Isolator-Halbleiter eignet sich insbesondere das Element Silizium in seiner reinen Form. Zwischen das Silizium und die Metallschicht bringt man einen dünnen Isolator.  In Folge dieser elektrischen Anordnung bildet sich im Inneren des Metall-Isolator-Halbleiters ein Kondensator heraus. Einen der wichtigsten Isolatoren für den Metall-Isolator-Halbleiter stellt die chemische Verbindung Siliciumdioxid dar.



 



 

 


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