MuGFET

Hinter den sechs Buchstaben „MuGFET“ verbirgt sich ein Transistor, der innerhalb der Halbleitertechnik- und Elektronik einen Abkömmling bzw. eine Spezialvariante des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) darstellt. Dabei stehen die einzelnen Buchstaben gänzlich ausgeschrieben für „multiple gate field-effect transistor“ bzw. einen „multigate device“. Der MuGFET unterscheidet sich von einem gängigen, normalen MOSFET insbesondere bezüglich der Anzahl seiner verbauten Gate-Elektroden. Während ein typischer Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor lediglich einen ergänzenden Gate-Anschluss, neben den immer vorhandenen Abfluss- und Quellenanschlüssen (Drain bzw. Source) aufweist, besitzt der MuGFET eine individuell variierbare Anzahl an installierten Gate-Anschlüssen.













 
 

Die unterschiedlichen Gate-Elektroden lassen sich beim MuGFET als eine geschlossene, abgestimmte Einheit betreiben, sodass sie quasi ein „single gate“ bilden. Des Weiteren gibt es die Möglichkeit, die einzelnen Gate-Anschlüsse separat zu kontrollieren und zu schalten, sodass sich im Schaltungs- und Netzwerkbetrieb des MuGFET ein großer und umfassender Gestaltungsspielraum auftut. Ein MuGFET, dessen einzelne Gate-Anschlüsse separat und unabhängig voneinander kontrollierbar sind, wird zum Teil auch als „MIGFET“ bezeichnet. Hinter dem Kürzel „MIGFET“ verbirgt sich der englische Wortlaut „multiple independent gate field effect transistor“.



 



 

 


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