Multi-gate-fet

Der multi-gate-fet ist eine technologische Entwicklung der Elektrotechnik- und Elektronik. Dieses aktive Bauelement zählt als spezieller Transistor zu den Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET). Allerdings bestehen zwischen einem normalen MOSFET und dem multi-gate-fet wesentliche Differenzen, die sich insbesondere bei der Betrachtung der vorhandenen Gate-Elektroden äußern. Bei einem gängigen MOSFET befindet sich neben den stets installierten Quellen- und Abflussanschlüssen (Source und Drain) lediglich ein weiterer Gate-Anschluss auf dem Bauteil.













 
 

Der multi-gate-fet besitzt dagegen eine beliebig variierbare Anzahl an zusätzlichen Gate-Elektroden. Folglich unterscheidet sich der multi-gate-fet von normalen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren bezüglich seiner Anzahl an vorhandenen Gate-Anschlüssen. Diese multiple Zahl an Gate-Elektroden war auch ursächliche Grundlage für die Namensgebung des multi-gate-fet. Die Abkürzung „multi-gate-fet“ steht komplett ausformuliert für „multiple gate field-effect transistor“ oder anders gekürzt „MuGFET“. Des Weiteren wird dieser individuelle MOSFET innerhalb des deutschsprachigen Raumes auch oft als Multigate-Feldeffekttransistor bezeichnet.



 



 

 


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