Multiemitter-Transistor

Der Multiemitter-Transistor gehört zur großen Familie der Transistoren. Genauer gesagt lässt er sich zur Gruppe der Bipolartransistoren zuordnen. Der Multiemitter-Transistor stellt quasi eine spezielle Form des Bipolartransistors dar.

Was den Aufbau betrifft, besitzt dieser Transistor einen Basisanschluss (B) und einen Kollektoranschluss (C), sowie mehrere Emitteranschlüsse (E1,…, En). Die verschiedenen Emitteranschlüsse sind auch der Hauptunterschied zum normalen Bipolartransistor, der nur einen Emitteranschluss aufweist. Betrachtet man einen Multiemitter-Transistor schaltungstechnisch, so kann er als eine Parallelschaltung mehrerer Bipolartransistoren angesehen werden. Die Basis- und Kollektoranschlüsse der verbauten Transistoren sind dabei je zu einem Anschluss zusammengelegt bzw. zusammengefasst. Allerdings sind innerhalb dieser Multiemitter-Transistor Schaltung die Emitteranschlüsse separat verfügbar.










 
  Anwendung erlangt der Multiemitter-Transistor hauptsächlich auf dem Gebiet der bipolaren Transistor-Transistor-Logik. Er wird dort z. B. in der Eingangsstufe von NAND-Gattern mit bis zu zehn Emitteranschlüssen verwendet. Betreibt man den Multiemitter-Transistor in dieser Form, nennt man dies vereinfacht Basisschaltung.

Der immense Vorteil eines Multiemitter-Transistors, im Vergleich zu einzelnen parallel geschalteten Bipolartransistoren, ist die deutlich reduzierte Chipfläche. Dies ist insbesondere in integrierten elektronischen Transistor-Schaltungen von großer Bedeutung. Folglich stellt der allgemeine Bereich integrierter Schaltungen das Haupteinsatzgebiet des Multiemitter-Transistors dar.
 

 


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