Multigate-Feldeffekttransistor

Der Multigate-Feldeffekttransistor ist eine besondere Bauvariante des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET). Diese beiden Transistoren unterscheiden sich hauptsächlich hinsichtlich der Anzahl ihrer vorhandenen Gate-Elektroden. Während ein normaler MOSFET lediglich einen zusätzlichen Gate-Anschluss, neben den stets vorhandenen Quellen- und Abflussanschlüssen (Source bzw. Drain) besitzt, weist der Multigate-Feldeffekttransistor eine beliebig variierbare Anzahl an installierten Gate-Anschlüssen auf. Die verschiedenen Gate-Elektroden können beim Multigate-Feldeffekttransistor zusammen als eine Einheit betrieben werden, sodass sie quasi als ein „single-gate“ fungieren. Darüber hinaus lassen sich die individuellen Gate-Anschlüsse auch separat kontrollieren und gezielt steuern, sodass sich ein erheblicher Gestaltungsspielraum im Schaltungsbetrieb des Multigate-Feldeffekttransistors auftut.













 
 

Ein Multigate-Feldeffekttransistor, dessen einzelne Gate-Elektroden individuell zu kontrollieren sind, wird manchmal auch als „MIGFET“ bezeichnet. Die Abkürzung MIGFET steht dabei in Gänze ausformuliert für „multiple independent gate field effect transistor“. Multigate-Feldeffekttransistoren sind Teil einer Strategie, die von CMOS-Halbleiter-Manufakturen entwickelt worden sind. Ziel dieser technologischen Strategie ist die stetige Komprimierung und Minimierung von Mikroprozessoren und Speicherzellen. Dieser Prozess der voranschreitenden Komplexität integrierter Schaltkreise, wird durch das Mooresche Gesetz anschaulich beschrieben bzw. prophezeit. Der Multigate-Feldeffekttransistor findet sich in Fachmagazinen und Lehrbüchern auch oft unter dem Kürzel „MuFET“ oder der englischsprachigen Variante „multi gate fet“.



 



 

 


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