Multiple gate field-effect transistor

In der Elektrotechnik gibt es zahlreiche Bauelemente, die über besonders interessante Eigenschaften verfügen. Insbesondere die Halbleitertechnik beherbergt spezielle Bauteile mit hervorragenden Funktionen. Eines dieser Elemente ist der „multiple gate field-effect transistor“, kurz MuGFET. Dieser Transistor zählt zur großen Familie der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) und ist folglich eines der modernsten Bauteile. Trotzdem gibt es zwischen dem MOSFET und dem multiple gate field-effect transistor ein paar deutliche und entscheidende Unterschiede.

 

Die Anzahl der Gate-Elektroden kann beim MuGFET beliebig variiert werden und ist nur durch einen technischen und physikalischen Begrenzungsfaktor praktisch limitiert. Ein normaler Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor verfügt dagegen nur über einen weiteren Anschluss, neben den bereits standardmäßig vorhandenen Quellen- und Abflusselektroden. Diese Elektroden werden bei beiden Transistoren auch als „Source“ (Quelle) und „Drain“ (Abfluss) bezeichnet.

Der multiple gate field-effect transistor kann im “Singlebetrieb” und als Einheit genutzt werden. Dafür müssen lediglich die einzelnen Elektroden des Transistors einzeln bzw. kollektiv ausgerichtet und abgestimmt werden.

 


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