NIGFET

„NIGFET“ diese sechs Buchstaben stehen in der Elektrotechnik und Elektronik für eine Obergruppe von Feldeffekttransistoren (FET). Ausgeschrieben steht das Kürzel NIGFET für „non insulated-gate field-effect transistor“. Diese Feldeffekttransistoren besitzen im Gegensatz zu den IGFETs eine Steuerelektrode (Gate), die nicht elektrisch isoliert ist. Deswegen werden sie in der deutschen Sprache auch ganz einfach als „Feldeffekttransistoren mit nicht isolierter Steuerelektrode“ bezeichnet.

Doch wie funktioniert so ein NIGFET nun eigentlich genau? Wie bei allen Feldeffekttransistoren, die eine zusätzliche Steuerelektrode aufweisen, ist auch beim NIGFET eine gezielte Steuerung des elektrischen Stromflusses möglich. Dazu wird an diesen individuellen Feldeffekttransistor eine externe Steuerspannung angelegt. Mit Hilfe dieses elektrischen Potentials lässt sich der Fluss des Stromes durch den NIGFET beeinflussen.








 
  Der Steuerungsprozess erfolgt bei diesem Transistor quer zur Flussrichtung. Bei diesem Verfahren bilden sich durch die eingebrachte elektrische Spannung Raumladungszonen. Diese Raumladungszonen verringern die Leitfähigkeit des NIGFETs und üben folglich einen Einfluss auf den elektrischen Stromfluss im Inneren des Feldeffekttransistors aus. Es gibt in der Familie des NIGFETs verschiedene Bauvarianten. Dazu gehört neben dem Sperrschicht-Feldeffekttransistor (Junction-FET, JFET) auch der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (metal semiconductor field effect transistor, MESFET).

 

 


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