Non insulated-gate field-effect transistor

Der non insulated-gate field-effect transistor ist ein interessantes Bauelement der Halbleiterelektronik. Unter der Bezeichnung non insulated-gate field-effect transistor versteht man allerdings keinen konkreten, einzelnen Transistor, sondern vielmehr eine große Bauteilfamilie, die viele verschiedene Feldeffekttransistoren beherbergt. Sehr oft findet sich in Büchern oder Zeitschriften auch nur das Namenskürzel „NIGFET“. Der non insulated-gate field-effect transistor zeichnet sich auch durch eine Reihe von individuellen elektrotechnischen Eigenschaften aus. Doch was macht diesen Feldeffekttransistor (FET) nun so speziell und wie funktioniert er eigentlich genau?














 
 

Das charakteristische Hauptmerkmal des NIGFETs ist die elektrische Anordnung seiner Steuerelektrode (Gate). Während der insulated-gate field-effect transistor (IGFET) einen gesondert elektrisch isolierten Steueranschluss besitzt, arbeitet der NIGFET mit einem Gate, das nicht isoliert verbaut ist. Aufgrund dieser Tatsache etablierte sich in Deutschland auch die geflogene Begrifflichkeit „Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode“. Selbstverständlich ist auch mit dem non insulated-gate field-effect transistor eine zielgerichtete Beeinflussung und Steuerung des elektrischen Stromes möglich. Für diesen externen Steuerungsprozess ist alleine der zusätzlich vorhandene Steueranschluss notwendig. Die elektrische Isolierung bzw. Leitfähigkeit der Elektrode ist bei diesen Schaltungspraktiken weitgehend irrelevant.



 



 

 


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