Photowiderstand

Ein Photowiderstand zeichnet sich durch seine optoelektronischen Bauteileigenschaften aus. Der Photowiderstand ist lichtabhängig und wird überwiegend aus einer amorphen Halbleiterstruktur gefertigt. Wenn sich die Lichtverhältnisse an einem Betriebsort des Photowiderstands ändern, so variiert auch der Photowiderstand seine physikalische Größe, die in Ohm gemessen wird. Dabei gilt, je stärker der externe Lichteinfall, desto geringer ist der elektrische Widerstand des Photowiderstands. Dieser Prozess fußt auf die Erläuterungen des inneren photoelektrischen Effekts.

 

Albert Einstein erhielt hierfür im Jahre 1922 den Nobelpreis für Physik. Des Weiteren ist der Photowiderstand ein äußerst empfindliches Bauelement. In dieser technischen Kategorie wird der Photowiderstand lediglich vom modernen Photomultiplier übertroffen. Dieser verfügt allerdings über eine deutlich höhere Reaktionszeit. Auf internationaler Ebene wird der Photowiderstand häufig als „Light dependent resistor“ (LDR) oder „Photoresistor“ tituliert. Die deutsche Bezeichnung „Fotowiderstand“ mit „F“ ist auch geläufig und rechtschreibkonform.

 


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