Power-BJT

Die Entwicklung von leistungsstarken Transistoren besaß seit jeher große Priorität in den Forschungsabteilungen moderner Technologieunternehmen. Im besonderen Fokus stehen dabei unter anderem Bipolartransistoren. Bis heute ist es gelungen, eine Vielzahl von bipolaren Leistungstransistoren zu konstruieren. Diese individuellen Leistungstransistoren sind für das elektrotechnische und elektronische Arbeiten mit hohen Spannungen und großen Flussaufkommen konzipiert.

Praktisch können mit einem gängigen bipolaren Leistungstransistor elektrische Schaltungsströme von mehreren hundert Ampere sicher und effektiv geleitet werden. Auch eine Spannungsbelastung von bis zu 1000 Volt stellt für die meisten Transistoren dieser Bauart keine größere Problematik dar.

























































 

 

Aufgrund der vielfältigen Variationsmöglichkeiten, die sich einem bei der Planung und Herstellung dieses Transistors bieten, existieren auch eine Reihe an unterschiedlichen, gültigen Bezeichnungen für dieses aktive Bauelement. Der bipolare Leistungstransistor wird innerhalb internationaler Kommunikationen auch oft „bipolar power transistor“, „power bipolar junction transistor“ oder einfach nur verkürzt „Power-BJT“ genannt.

Ein Power-BJT weist in den meisten Fällen eine recht große elektrische Raumladungszone auf. Folglich sollte die Basisbreite des Power-BJTs groß gewählt werden, damit einem Durchbruch des Bauteils effektiv vorgebeugt werden kann. Nachteilig wirkt sich die vergrößerte Basisbreite des Power-BJTs auf seine Stromverstärkung aus.
 

 


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