Power bipolar junction transistor

Der power bipolar junction transistor zählt zu den leistungsstarken Transistoren, d. h. er ist für das Verarbeiten von hohen elektrischen Spannungen und großen Stromflüssen konstruiert. Allgemein stellt der power bipolar junction transistor ein Mitglied der recht umfassenden Familie der Bipolartransistoren dar. Popularität besitzt dieser recht individuelle Bipolartransistor auch unter den Namen „bipolar power transistor“ (Power BJT) oder „Bipolarer Leistungstransistor“.




















































 

 

Anders als die meisten gängigen Bipolartransistoren weist der power bipolar junction transistor eine vertikale Anordnung der Halbleiterschichten auf. Dies hat zur Folge, dass sich die elektrischen Stromflüsse recht gleichmäßig über ein großes Gebiet innerhalb des Halbleiteraufbaus des Transistors verteilen. Generell muss ein bipolar power transistor auch große elektrische Potenzialdifferenzen zwischen Kollektor und Basis verkraften. Um einen „Lawinendurchbruch“ zu vermeiden, (elektrischer Effekt, siehe Z-Diode) sollte die Kollektorelektrode des Bipolartransistors nur geringfügig aufgeladen werden. Das Resultat eines erhöhten Basis-Kollektor Potenzials ist eine größere Raumladungszone in der Basis des Transistors.

 


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