RADFET

Ein nicht gerade alltägliches elektronisches Bauelement stellt der RADFET dar. Die sechs Buchstaben des RADFETs stehen in kompletter Form für „radiation sensing field-effect transistor“. Der RADFET ist ein spezieller Feldeffekttransistor (FET), genauer gesagt gehört er zur Familie der Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET). Die Individualstellung dieses Transistors wird deutlich, wenn man sich einen Aufbau und seine elektrische Funktion konkreter anschaut.













 
 

Im Unterschied zu den meisten, gängigen MISFETs besitzt der RADFET einen Source-Drain-Widerstand, der von der Strahlungsdosis abhängt. Folglich handelt es sich bei dem radiation sensing field-effect transistor um einen ionisierenden bzw. radioaktiven Strahler. Betrachtet man die elektrische Funktionsweise des RADFETs genauer, so kann man feststellen, dass die ionisierende Strahlung Elektron-Loch-Paare in der Gate-Zone des Transistors erzeugt. Bei diesem physikalischen Halbleiterphänomen fließen die Elektronen ab, während sich simultan die positiven Fehlplätze im Substrat anreichern. Die elektrische Potentialdifferenz (Spannungsabfall) am RADFET wächst mit der vorhandenen Strahlungsdosis.



 



 

 


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