Radiation sensing field-effect transistor

Der radiation sensing field-effect transistor ist ein Bauteil der Halbleiterelektronik. Er zählt als Transistor zu den aktiven Bauelementen. Das bedeutet genauer, dass sich der radiation sensing field-effect transistor durch eine externe Einflussnahme in seinem elektrischen Schalt- und Betriebsverhalten gezielt beeinflussen lässt. Dadurch eröffnen sich dem radiation sensing field-effect transistor zahlreiche Anwendungsfelder, die insbesondere für die Wissenschaft und die praktische Elektrotechnik und Elektronik von großer Bedeutung sind. Doch wie ist so ein radiation sensing field-effect transistor aufgebaut und wie kann man sich eigentlich seine elektrische Funktionsweise vorstellen?













 
 

Grundsätzlich ist der radiation sensing field-effect transistor erst einmal ein Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MISFET. Allerdings bestehen zwischen einem normalen, gängigen MISFET und dem radiation sensing field-effect transistor doch einige wesentliche Unterschiede. Im Gegensatz zu anderen, typischen MISFETs hängt der Source-Drain-Widerstand dieses individuellen Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistors von der entsprechenden Strahlendosis ab. Folglich arbeitet der radiation sensing field-effect transistor mit radioaktiver Strahlung bzw. Ionenstrahlung. Konkret erzeugt die ionisierende Strahlung Elektron-Loch-Paare im Gate-Bereich dieses speziellen Feldeffekttransistors (FET). Aufgrund seiner recht langen Begrifflichkeit findet man den radation sensing field-effect transistors auch oft unter dem Kürzel „RADFET“.



 



 

 


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