Rückwärtsdiode

Zur Obergruppe der Tunneldioden lässt sich die Rückwärtsdiode zählen. Die Rückwärtsdiode wird häufig auch als „Backward-Diode“ bezeichnet, was sich aus dem Englischen ableitet. Hinsichtlich der Tunneldiode ergeben sich einige bedeutende Unterschiede, was die Funktion sowie den Aufbau betrifft.

Der sonst so typische Stromkurvenverlauf der Tunneldiode, der einen Hoch- und Tiefpunkt aufweist, wird bei der Rückwärtsdiode nahezu komplett unterdrückt. Das Ergebnis dieses Verhaltens ist, dass die Rückwärtsdiode ein Kennliniengebiet aufweist, in welchem ein fast konstanter elektrischer Strom herrscht. Dieser Strom kann quasi als Sperrstrom bezeichnet werden. Dieser charakteristische Bereich beläuft sich auf eine Spannweite von ungefähr 0,5 Volt. Darüber hinaus ist ersichtlich, dass die Kennlinie der Rückwärtsdiode um 180 Grad gedreht ist, bezüglich der Kennlinie der Tunneldiode.

In Deutschland werden elektronische Bauteile nach DIN EN 60617 (Grafische Symbole für Schaltpläne) und deren Kenn-Nummer nach IEC 60617 dargestellt. Das ermöglicht die Erstellung von komplexen Schaltplänen. Das hier abgebildete Symbol bezeichnet die Rückwärtsdiode.
Das Schaltzeichen nach DIN EN 60617 für die Rückwärtsdiode.  

 

Was die Funktion und Arbeitsweise dieser Diode betrifft, lässt diese sich relativ leicht aus ihrem Namen ableiten. Die Rückwärtsdiode wird also in Sperrrichtung eingesetzt, wobei der nahezu konstante Kennlinienbereich als Sperrbereich dient. Weiterhin besitzt sie einen kleinen Innenwiderstand und folglich auch eine geringe Durchlassspannung. Zudem ist die Geschwindigkeit mit der die Rückwärtsdiode arbeitet ebenfalls sehr hoch, genau wie bei der Tunneldiode.

Hauptsächliche Verwendung findet diese Spezialdiode in Gebieten der Hochfrequenztechnik, in welchen sie zur Gleichrichtung verwendet wird. Allerdings muss gesagt werden, dass die Rückwärtsdiode heute keiner weiten Verbreitung mehr unterliegt und somit nur noch schwer zu erhalten ist. Dies begründet sich auf die erfolgreiche Entwicklung anderer aktiver Halbleiterbauelemente, die gleiche Eigenschaften mit zugleich besserer Haltbarkeit aufweisen.
 

 


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