Schottky-Barriere

Die Schottky-Barriere ist eine besondere Halbleiterdiode. Diese Diode besitzt keinen typischen p-n-Übergang sondern einen Metall-Halbleiter-Übergang. Dieser Übergang verhält sich in bestimmten Schaltsituationen sperrend. Da bei einem Sperrvorgang eine gewisse Potentialbarriere entsteht, wurde die Schottky-Diode diesbezüglich auch Schottky-Barriere getauft. Die Fläche im Grenzübergang zwischen Metall und Halbleiter nennt man auch „Schottky-Kontakt“.

 

Die Schottky-Diode kann wie fast alle gängigen Dioden zur Gleichrichtung eines Wechselstroms bzw. Drehstroms verwendet werden. Im Fachjargon spricht man hierbei auch von einem „gleichrichtenden Charakter“ der Diode. Schottky-Barrieren machen sich das Raumladungsprinzip zunutze. Je nach physikalischer bzw. elektrischer Situation bildet sich im Inneren der Schottky-Diode eine Verarmungszone aus. Folglich stehen sich in dieser Zone entgegengesetzt geladene Teilchen in ungefähr gleichem Verhältnis gegenüber und wirken nach außen ladungsneutral.

Die Raumladungszone ist leitend oder sperrend abhängig von der Richtung der angelegten elektrischen Spannung. Die Schottky-Barriere wurde nach dem bekannten deutschen Physiker Walter Schottky benannt. Schottky-Dioden sind im Allgemeinen als sehr schnelle Dioden für Hochfrequenzanwendungen geeignet.

 


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