Space-Transistor

Der Space-Transistor oder auch verkürzt „Spacistor“ genannt, ist eine besondere Transistorvariante, die sich in ihrem Schaltbetrieb ähnlich verhält, wie der populäre Bipolartransistor. Beide elektronischen Bauelemente nutzen für ihre Funktion die Effekte der internen elektrischen Potenzialdifferenzen. Generell wird dieses Verfahren als „Potenzialeffekt“ bezeichnet.

Der Space-Transistor ist allgemein ein Halbleiterbauteil mit vier Anschlüssen (Elektroden). Er setzt sich hauptsächlich aus einem p-n-Übergang zusammen, dessen breite Raumladungszone (Sperrschicht) die Grundlage für die korrekte Funktionsweise des Space-Transistors ist. Dabei ist die Unterteilung des p-n-Übergangs in seine zwei Halbleitergebiete von fundamentaler Bedeutung für den Space-Transistor und seinen späteren Verwendungszweck. Die p-Zone des Übergangs wird auch oft als Basis bezeichnet. Das n-Gebiet findet man in Lehrbüchern oder technischen Fachzeitschriften auch oft unter dem Begriff Kollektor.













 
 

Weiterhin weist der Space-Transistor in dem Raumladungsgebiet zwei zusätzliche elektrische Kontaktstellen auf. Dabei handelt es sich einerseits um den Injektor (injector) und andererseits um den Modulator (modulator). Seine elektrotechnische und elektronische Überlegenheit konnte der Space-Transistor nur für eine kurze Zeit in den 1950er Jahren ausspielen. Eingeführt und entwickelt als Bauelement, dass den Spitzentransistor und die damaligen Legierungstransistoren langfristig ablösen sollte, wurde er selber Verdrängungsopfer der in den späteren 1950er Jahren konstruierten Diffusionstransistoren und ihrer elektrischen Überlegenheit. Folglich findet man den Space-Transistor heute nicht mehr in modernen integrierten Halbleiterschaltungen.



 



 

 


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