Spin-Feldeffekttransistor

Der Spin-Feldeffekttransistor stellt innerhalb der Halbleitertechnik- und Elektronik einen Oberbegriff dar, hinter dem sich eine Ansammlung von individuellen Feldeffekttransistoren (FET) verbirgt. Diese Spezial-FETs stützen ihre elektrische Funktion auf die Gesetzmäßigkeiten der Quantenmechanik. Konkret bedeutet dies, dass sich diese besonderen Transistoren die quantenmechanische Eigenschaft des Spins von Ladungsträgern zu Nutze machen. In den weitaus überwiegenden Fällen handelt es sich bei den verwendeten Ladungsträgern um Elektronen. Dieses physikalische Phänomen, auf das die korrekte Betriebsfunktion des Spin-Feldeffekttransistors zurückzuführen ist, wird ausführlich in den Arbeiten rund um den „Rashba-Effekt“ behandelt.













 
 

Der Spin-Feldeffekttransistor ist innerhalb der technischen Wissenschaften und der praktischen Fertigung oft auch einfach nur bekannt unter dem Namen „Spin-Transistor“. Des Weiteren wird in vielen Lehrbüchern oder Fachmagazinen die Abkürzung „Spin-FET“ verwendet. Die Ausnutzung der quantenmechanischen Prinzipien unterscheidet den Spin-Feldeffekttransistor grundlegend von normalen, typischen FETs. Diese herkömmlichen Feldeffekttransistoren arbeiten nur mit elektrischen Ladungsträgern (Elektronen, Defektelektronen). Die am stärksten von Feldeffekttransistoren durchzogenen praktischen Einsatzgebiete sind die Informationsspeicherung, sowie die Verstärkung von elektrischen und elektronischen Signalen innerhalb des großen Gebietes der Signaltechnik.



 



 

 


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