Tri-Gate-MOSFET

Der Tri-Gate-MOSFET ist ein spezieller Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). Dieser Feldeffekttransistor (FET) zählt zu den nicht-planaren Bauelementen bzw. Transistoren. Charakteristisch für den Tri-Gate-MOSFET sind seine drei Elektrodenanschlüsse. Neben dem Quellenanschluss sowie der Abflusselektrode besitzt der Tri-Gate-MOSFET noch ein weiteres Gate, das weitgehend Steuerungszwecken dient.

 

Der leitfähige Kanal im Inneren des Tri-Gate-MOSFETs befindet sich an einem recht dünnen Grat aus Silizium. Prinzipiell kann sich der leitende Kanal an allen Seiten des Siliziumgrats befinden. Der Tri-Gate-MOSFET und der Multigate-Feldeffekttransistor zählen zu den FinFets. Ein großer Vorteil in der Verwendung des Tri-Gate-MOSFETs liegt in den besseren elektrischen Eigenschaften, die dieser Transistor aufweist. Der vergrößerte Kanalbereich sorgt für kürzere Schaltzeiten und geringer auftretende Leckströme. Des Weiteren zeichnet sich der Tri-Gate-MOSFET durch eine sehr kompakte Bauteilgröße und folglich eine sehr hohe Integrationsdichte aus.

 


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