Unijunctiontransistor

Es gibt innerhalb der Elektrotechnik und Elektronik Bauelemente, deren Zuordnung zu einer bestimmten Bauteilfamilie recht schwer fällt, da sie durch besondere individuelle elektrische Eigenschaften eine Sonderrolle einnehmen. Der Unijunctiontransistor ist eines dieser speziellen Elemente. Der „UJT“, wie der Unijunctiontransistor auch verkürzt genannt wird, wurde im Jahre 1953 in den Bell Laboratories in Murray Hill, New Jersey entwickelt. Oft wird der Unijunctiontransistor auch als Doppelbasisdiode bezeichnet. Der UJT ist in der Halbleitertechnologie eine Art „Zwitterbauteil“ aus Transistor und Halbleiterdiode.

 

Allerdings bestehen in Teilen auch funktionelle Schnittmengen zwischen dem Unijunctiontransistor und einem Thyristor. Genau wie ein üblicher Bipolartransistor verfügt der Unijunctiontransistor über drei Gate-Anschlüsse. Man findet beim UJT zudem nur einen pn-Übergang, was dem Aufbau einer Diode ähnelt. Das Wort „Unijunction“ unterstreicht diesen physikalischen Halbleiteraufbau. Es steht übersetzt für den Wortlaut „eine Sperrschicht“. In der schaltungstechnischen Praxis verhält sich der UJT quasi wie eine gesteuerte Diode. Man kann den Unijunctiontransistor trotz der relativ gleichbleibenden Polarität der aufgebrachten Potentialdifferenz leitend oder sperrend machen.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor

 


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