V-groved MOS field-effekt transistor

Der V-groved MOS field-effekt transistor ist ein spezieller Feldeffekttransistor (FET), der zur großen Familie der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET) gehört. Doch wodurch zeichnet sich der V-groved MOS field-effekt transistor eigentlich aus und was macht ihn so besonders?

Die meisten Varianten des MOSFETs sind durch die Planartechnik realisiert worden. Beim VMOS-FET handelt es sich um einen nicht planaren Feldeffekttransistor. Der VMOS-FET ist populär für seinen V-förmigen Gatebereich.

 

Durch diese individuelle Form kann die Kanallänge deutlich reduziert werden bei einer simultanen Vergrößerung der Kanalbreite.

Den Graben in einer derartigen Form herzustellen erfordert ein recht großes technisches „Know-How“. Für diesen Prozess wird meistens das Element Silizium verwendet. Es hat sich in der Produktion des VMOS-FET bewährt. Durch chemische Reaktionen und einen Ätzvorgang bildet sich anschließend der V-förmige Gatebereich aus.

 


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