VMOS-FET

Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) ist einer der populärsten Transistoren. Es gibt zahlreiche beliebte MOSFET-Varianten, deren elektrotechnischer Aufbau durch die Planartechnik realisiert wird. Allerdings existieren neben diesen gängigen, planaren Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren noch diverse individuelle MOSFET-Typen mit verändertem Halbleiteraufbau. Einer dieser speziellen Feldeffekttransistoren (FET) ist der VMOS-FET.

Im Gegensatz zu den meisten MOSFETs arbeitet der VMOS-FET nicht mit einer planaren Halbleitertechnik. Bei dem VMOS-FET handelt es sich folglich um einen nicht-planaren Feldeffekttransistor. Charakteristisch für den VMOS-FET ist sein V-förmiger Gatebereich, der sowohl die Kanalweite erhöht, als auch die Kanallänge effektiv reduziert.

 

Die eingängige Abkürzung „VMOS-FET“ findet ihre Wurzeln, wie viele technische Begrifflichkeiten, in der englischen Sprache, die in weiten Teilen der Wissenschaft und Praxis dominierend gesprochen wird. Das Kürzel VMOS-FET steht ausformuliert für „v-groved MOS field-effect transistor“. Unter deutschen Wissenschaftlern und Ingenieuren ist auch die Bezeichnung „VMOS-Feldeffekttransistor“ verbreitet. Der V-förmige Graben in der Gatezone des VMOS-FET wird häufig durch eine chemische Reaktion unter Zuhilfenahme von Silizium hergestellt. Dabei wird das Silizium durch anisotropes Ätzen derart beeinflusst, dass sich daraus der V-Graben im Gatebereich des VMOS-FET konstruieren lässt.

Namenhafte Hersteller:
ROHM Semiconductor
Central Semiconductor

 


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Bekannte Hersteller:

Central Semiconductor
Diotec Semiconductor
Electel
Europe Chemi-Con
Fischer Elektronik
Fischer & Tausche Kondensatoren GmbH
GSN Greatecs
Hartu
Hongfa
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Kingbright Electronic
LAPIS Semiconductor
Nippon Chemi-Con
Omron K. K.
Piher Sensors and Controls
Powersem
Powertip Technology
ROHM Semiconductor
United Chemi-Con
Weidmüller