VMOS-Feldeffekttransistor

Was ist eigentlich ein VMOS-Feldeffekttransistor? Technokratisch formuliert handelt es sich beim VMOS-Feldeffekttransistor um einen nicht-planaren Feldeffekttransistor, dessen Kanallänge verkürzt wurde bei einer gleichzeitigen Ausweitung der Kanalbreite. Die Planartechnik beschäftigt sich mit einem Verfahren zur Herstellung moderner Transistoren, Dioden und aggregierter Chip-Systeme. Ein anderer Weg, einen Transistor bzw. eine Diode zu produzieren, ist das Diffusionsverfahren. Der VMOS-Feldeffekttransistor wird heute nicht-planar gefertigt.

 

Die Veränderungen im Kanal erreicht man durch die Einbringung eines V-Förmigen Gatebereichs. Dieser spezielle Gateabschnitt in V-Form wird meistens durch anisotropes Ätzen von Silizium realisiert. Die Wurzeln dieses Konzepts liegen in den Arbeiten von T. J. Rodgers. Dieser beschäftigte sich Mitte der 1970er Jahre mit VMOS-Feldeffekttransistoren (VMOS-FET).

Es existieren heute moderne VMOS-Feldeffekttransistoren in mehreren Varianten. Einige Transistoren arbeiten mit vertikalem Stromfluss, andere nutzen einen lateralen Verlauf der Elektronen bzw. Ladungsträger.

 


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